Kontakt

PD Dr. habil. Artur Erbe

Lei­ter Transport in Nano­struk­turen / Device Prozessie­rung / NanoNet
Skalie­rungs­phänomene
a.erbeAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 2366

Dr. Yordan Georgiev

Lei­ter Nanofabrication
Transport­phänomene in Nano­struk­turen
y.georgiev@hzdr.de
Tel.: +49 351 260 2321

Ausstattung - Transportphänomene in Nanostrukturen

Geplante Experimentalaufbauten

Anlage Details
RAITH 150
Elektronenstrahl-Schreiber
RAITH 150 TWO
  • Hersteller: RAITH GmbH
  • Anwendungen:
    • Nanolithography
    • Imaging
  • Elektronenquelle:
    • 30 kV Schottky thermal field electron emitter ZrO/W
  • Probengröße: ≤ 4" Wafer
  • Kleinste Strukturgröße: sub 8 nm
  • Probentisch mit Laserinterferrometer
    • Auflösung: 1nm
  • Height sensing und FBMS-Modus verfügbar
  • GDSII-Editor zur Erzeugung komplexer Strukturen in unterschiedlichen Ebenen und Zuordnung individueller Dosisfaktoren zu einzelnen Strukturelementen
  • NanoPECSTM suite software zur Korrektur des Proximittyeffekts

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

RAITH eLiNE
Elektronenstrahl-Schreiber
RAITH 150 eLiNE plus
  • Hersteller: RAITH GmbH
  • Anwendungen:
    • Nanolithography
    • Imaging
    • Nanoengineering
  • Elektronenquelle:
    • 30 kV Schottky thermal field electron emitter ZrO/W
  • Probengröße: ≤ 3" Wafer
  • Kleinste Strukturgröße: sub 5 nm
  • Probentisch mit Laserinterferrometer
    • Auflösung: 1nm
  • 4 integrierte Nanomanipulatoren ermöglichen z.b. insitu die elektrische Charakterisierung von Nanostrukturen
  • Height sensing-Modus verfügbar
  • GDSII-Editor zur Erzeugung komplexer Strukturen in unterschiedlichen Ebenen und Zuordnung individueller Dosisfaktoren zu einzelnen Strukturelementen
  • NanoPECSTM suite software zur Korrektur des Proximittyeffekts

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

RIBE IonSys 500
Reaktiver-Ionenstrahl-Ätzer
IonSys 500
  • Hersteller: ROTH & RAU AG
  • Anwendungen:
    • Nichtselektives Ätzen durch Sputtern mit Ar-Ionen
    • Anisotropes Ätzen von:
      • Metallen
      • Magnetischen Schichtsystemen
      • SiO2
  • Probengröße: ≤ 6" Wafer
  • Argon-Quelle
  • Ätzgas: CF4
  • Helium-Rückseiten-Kühlung
  • Probenkippung: ≤90°
  • Probenrotation: ≤ 10 rpm
  • Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) von Hiden Analytical, UK zur Endpunkt-Detektion

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

BETty
UHV-Bedampfungsanlage
BETty
  • Hersteller: BESTEC GmbH
  • Anwendung:
    • Abscheiden metallischer und magnetischer Schichtsysteme
  • Kammerdruck: <10-9 mbar
  • Elektronenstrahlverdampfer (7 Tiegel)
  • Thermischer Verdampfer (Al)
  • Temperaturbereich: 130 K – 600 K
  • Probenkippung: ±45°
  • Sputter gun zur Probenreinigung

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

Tieftemperatur-Messpatz CPX-VF
Tieftemperatur-Messpatz
CPX-VF
  • Hersteller: LAKESHORE
  • Anwendungen:
    • C-V Messungen
    • I-V Messungen
    • 4-Probe Messungen
    • Hall Messungen
    • Microwave Messungen (bis 40Ghz)
    • Elektro-optische Messungen
    • Alle Messungen sind auch mit vertikalem Magnetfeld kombinierbar, welches durch supraleitende Spulen erzeugt wird,
  • Probengröße: ≤ 2" Wafer
  • Magnetfeld: ∓ 2,5 T
  • Magnetfeldrichtung: vertikal out-of-plane
  • Temperaturebereich: 4.5 K – 400 K
  • Verfügbare Probenhalter:
    • geerdeter Probenhalter
    • koaxialer Probenhalter
    • drehbarer Probenhalter
      • Magnetfeldrichtung: horizontal in-plane
  • Messgeräte:
    • AGILENT 4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
    • LakeShore 625 Superconductiong magnet power supply
    • LakeShore 340 Temperature controller
    • LakeShore 332 Temperature controller
  • Einkopplung eines Lasersignals (λ = 473nm / 785nm) möglich
  • Doppelte Strahlungsabschirmung für stabileres Tieftemperaturverhalten
  • Probenheizung zur Vermeidung von Kondensationen während des Kühlens
  • Probenkontaktierung unter 90°

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

Tieftemperatur-Messpatz TTP-4A
Tieftemperatur-Messpatz
TTP-4A
  • Hersteller: LAKESHORE
  • Anwendungen:
    • C-V Messungen
    • I-V Messungen
    • Microwave Messungen (bis 40Ghz)
    • Elektro-optische Messungen
  • Probengröße: ≤ 2" Wafer
  • Temperaturbreich: 4.5 K – 400 K
  • Verfügbare Probenhalter:
    • geerdeter Probenhalter
    • koaxialer Probenhalter
  • Messgeräte:
    • AGILENT 4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
    • AGILENT 34410A Digital Multimeter
    • KEITHLEY 2400 Source Meter
    • LakeShore 332 Temperature controller
  • Einkopplung eines Lasersignals (λ = 473nm / 785nm) möglich
  • Strahlungsabschirmung für stabileres Tieftemperaturverhalten
  • Probenheizung zur Vermeidung von Kondensationen während des Kühlens
  • Probenkontaktierung unter 90°

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

MCBJ
Mechanisch kontrollierte
Bruchkontakte
  • Anwendungen:
    • Elektrische Charakterisierung von Molekülen
      • bei Raumtemperatur
      • in Flüssigkeiten
  • Derzeit untersuchte Moleküle:
    • Selen-Metall-Komplexe
    • Polythiophene
    • Bucky-bowl Strukturen (z.B. Corannulen)
  • Derzeit untersuchte Lösungsmittel:
    • Mesitylen
    • Toluol
  • Strommessungen bis in den fA-Bereich durch elektrische und magnetische Abschirmtechnologie
  • 4 Aufbauten

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

Tieftemperatur-UHV-MCBJ
Tieftemperatur-UHV
Bruchkontaktaufbau
  • Anwendungen:
    • I-V Messungen
    • Ploten von Leitwert-Histogrammen
    • Inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS)
    • Point-contact spectroscopy (PCS)
  • Temperaturbereich: 5 K – 300 K
    • Genauigkeit: 0,1 K
  • Druck (bei Tieftemperatur): 5*10-5 mbar
  • Insitu Abscheidung von Molekülen in den Bruchkontakt
    • durch thermische Bedampfung of z.B. C60
      • Bedampfungsrate: 0,2 Å/s - 0,6 Å/s
      • Schichtdicke: ¼ bis 1 Monolage
  • Messinstrumente:
    • KEITHLEY 2400 Source Meter
    • KEITHLEY 6430 Sub Femtoamp Remote Source Meter
    • LakeShore 331 Temperature controller
    • YOKOGAWA 7651 Programmable DC Source

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

Laserschneider
Laserschneider
skylaser MARK 20
  • Hersteller: PFEIFER technology & innovation
  • Probengröße:

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

Plasma-Ätzer
Plasma-Ätzer
PICO
  • Hersteller: DIENER ELECTRONIC GmbH + Co. KG
  • Anwendungen:
    • Aktivierung von Halbleitern
    • Reinigen von Halbleitern
    • Ättzen von Halbleitern
    • Plasmapolymerisation
  • Probengröße: ≤ 4" Wafer
  • Gase: O2, Ar
  • Frequenz: 2,45 GHz
  • Leistung: 0 - 300W
  • Faradaykäfig zum Schutz elektrisch empfindlicher Proben
  • Piranisensor zu Messung von Kammerdrücken unter 10 mbar
  • Generator mit Leistungsanzeige
  • Timer zum Programmieren der Prozesszeit (max. 999,9 min)

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

Hochvakuum-Ofen
Hochvakuum-Ofen
XERION X-TUBE
  • Hersteller: XERION ADVANCED HEATING® Ofentechnik GmbH
  • Probengröße: ≤ 4" Wafer
  • Temperaturbereich: ≤ 800°C
  • Druck: bis zu 4*10-7 mbar
  • Gas: N2
  • Heizen und Kühlen mit unterschiedlichen Ramp rates möglich

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

Optical microscope
Optisches Mikroskop
OPLYMPUS BX51
  • Hersteller: OLYMPUS GmbH
  • Vergrößerungen: 5x, 10x, 20x, 50x, 100x, 250x
  • Dunkelfeld- und Hellfeld-Modus
  • Durchlicht- und Auflicht-Modus
  • Kamera (Carl Zeiss Axio Cam MRc) zur Bildaufnahme

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

Optical Tweezers

  • tool for ...
    • ...
  • Anwendungen: ...

Kontakt: ...

Geplante Experimentalaufbauten
Cluster-Depositions-Anlage
Cluster-Depositions-Anlage
  • Anwendungen:
    • Erzeugung von Metall- oder MnSm (M = Mo, W) Clustern
    • Mechanisch kontrollierte Bruchkontakte (MCBJ) dienen der elektrischen Characterisierung massenselektierter Cluster
    • Untersuchung der Elektronen-Transporteigenschaften von „magischen“ Clustern und Chevrelphasen der Wolfram-Schwefel Verbindungen (MnSm cluster)
  • Insitu Erzeugung von Cluster mittels PACIS (pulsed arc cluster ion source)
  • Massenseperation mittels Flugzeitmassensprektrometer mit Reflektron
  • Insitu Einbringung in die Bruchkontakt durch soft landing Methoden
  • Erzeugung von Metall-Clustern mittels Gaszufuhr und Annealing-Stufen
  • Enddruck: ≥ 10-7 mbar

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

ASOPS

  • Anwendungen
    • Optische Charakterisierung nanomechanischer Resonatoren

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

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Skalie­rungs­phänomene
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