• Hersteller: RAITH GmbH
• Anwendungen:
  • Nanolithography
  • Imaging
• Elektronenquelle:
  • 30 kV Schottky thermal field electron emitter ZrO/W
• Probengröße: ≤ 4" Wafer
• Kleinste Strukturgröße: sub 8 nm
• Probentisch mit Laserinterferrometer
  • Auflösung: 1nm
• Height sensing und FBMS-Modus verfügbar
• GDSII-Editor zur Erzeugung komplexer Strukturen in unterschiedlichen Ebenen und Zuordnung individueller Dosisfaktoren zu einzelnen Strukturelementen
• NanoPECS^TM suite software zur Korrektur des Proximittyeffekts

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

• Hersteller: RAITH GmbH
• Anwendungen:
  • Nanolithography
  • Imaging
  • Nanoengineering
• Elektronenquelle:
  • 30 kV Schottky thermal field electron emitter ZrO/W
• Probengröße: ≤ 3" Wafer
• Kleinste Strukturgröße: sub 5 nm
• Probentisch mit Laserinterferrometer
  • Auflösung: 1nm
• 4 integrierte Nanomanipulatoren ermöglichen z.b. insitu die elektrische Charakterisierung von Nanostrukturen
• Height sensing-Modus verfügbar
• GDSII-Editor zur Erzeugung komplexer Strukturen in unterschiedlichen Ebenen und Zuordnung individueller Dosisfaktoren zu einzelnen Strukturelementen
• NanoPECS^TM suite software zur Korrektur des Proximittyeffekts

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

• Hersteller: ROTH & RAU AG
• Anwendungen:
  • Nichtselektives Ätzen durch Sputtern mit Ar-Ionen
  • Anisotropes Ätzen von:
    • Metallen
    • Magnetischen Schichtsystemen
    • SiO₂
• Probengröße: ≤ 6" Wafer
• Argon-Quelle
• Ätzgas: CF₄
• Helium-Rückseiten-Kühlung
• Probenkippung: ≤90°
• Probenrotation: ≤ 10 rpm
• Secondary Ion Mass Spectrometer (SIMS) von Hiden Analytical, UK zur Endpunkt-Detektion

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

• Hersteller: BESTEC GmbH
• Anwendung:
  • Abscheiden metallischer und magnetischer Schichtsysteme
• Kammerdruck: <10^-9 mbar
• Elektronenstrahlverdampfer (7 Tiegel)
• Thermischer Verdampfer (Al)
• Temperaturbereich: 130 K – 600 K
• Probenkippung: ±45°
• Sputter gun zur Probenreinigung

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

• Hersteller: LAKESHORE
• Anwendungen:
  • C-V Messungen
  • I-V Messungen
  • 4-Probe Messungen
  • Hall Messungen
  • Microwave Messungen (bis 40Ghz)
  • Elektro-optische Messungen
  • Alle Messungen sind auch mit vertikalem Magnetfeld kombinierbar, welches durch supraleitende Spulen erzeugt wird,
• Probengröße: ≤ 2" Wafer
• Magnetfeld: ∓ 2,5 T
• Magnetfeldrichtung: vertikal out-of-plane
• Temperaturebereich: 4.5 K – 400 K
• Verfügbare Probenhalter:
  • geerdeter Probenhalter
  • koaxialer Probenhalter
  • drehbarer Probenhalter
    • Magnetfeldrichtung: horizontal in-plane
• Messgeräte:
  • AGILENT 4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
  • LakeShore 625 Superconductiong magnet power supply
  • LakeShore 340 Temperature controller
  • LakeShore 332 Temperature controller
• Einkopplung eines Lasersignals (λ = 473nm / 785nm) möglich
• Doppelte Strahlungsabschirmung für stabileres Tieftemperaturverhalten
• Probenheizung zur Vermeidung von Kondensationen während des Kühlens
• Probenkontaktierung unter 90°

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

• Hersteller: LAKESHORE
• Anwendungen:
  • C-V Messungen
  • I-V Messungen
  • Microwave Messungen (bis 40Ghz)
  • Elektro-optische Messungen
• Probengröße: ≤ 2" Wafer
• Temperaturbreich: 4.5 K – 400 K
• Verfügbare Probenhalter:
  • geerdeter Probenhalter
  • koaxialer Probenhalter
• Messgeräte:
  • AGILENT 4156C Precision Semiconductor Parameter Analyzer
  • AGILENT 34410A Digital Multimeter
  • KEITHLEY 2400 Source Meter
  • LakeShore 332 Temperature controller
• Einkopplung eines Lasersignals (λ = 473nm / 785nm) möglich
• Strahlungsabschirmung für stabileres Tieftemperaturverhalten
• Probenheizung zur Vermeidung von Kondensationen während des Kühlens
• Probenkontaktierung unter 90°

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366>

• Anwendungen:
  • Elektrische Charakterisierung von Molekülen
    • bei Raumtemperatur
    • in Flüssigkeiten
• Derzeit untersuchte Moleküle:
  • Selen-Metall-Komplexe
  • Polythiophene
  • Bucky-bowl Strukturen (z.B. Corannulen)
• Derzeit untersuchte Lösungsmittel:
  • Mesitylen
  • Toluol
• Strommessungen bis in den fA-Bereich durch elektrische und magnetische Abschirmtechnologie
• 4 Aufbauten

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

• Anwendungen:
  • I-V Messungen
  • Ploten von Leitwert-Histogrammen
  • Inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS)
  • Point-contact spectroscopy (PCS)
• Temperaturbereich: 5 K – 300 K
  • Genauigkeit: 0,1 K
• Druck (bei Tieftemperatur): 5*10^-5 mbar
• Insitu Abscheidung von Molekülen in den Bruchkontakt
  • durch thermische Bedampfung of z.B. C₆₀
    • Bedampfungsrate: 0,2 Å/s - 0,6 Å/s
    • Schichtdicke: ¼ bis 1 Monolage
• Messinstrumente:
  • KEITHLEY 2400 Source Meter
  • KEITHLEY 6430 Sub Femtoamp Remote Source Meter
  • LakeShore 331 Temperature controller
  • YOKOGAWA 7651 Programmable DC Source

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

• Hersteller: PFEIFER technology & innovation
• Probengröße:

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

• Hersteller: DIENER ELECTRONIC GmbH + Co. KG
• Anwendungen:
  • Aktivierung von Halbleitern
  • Reinigen von Halbleitern
  • Ättzen von Halbleitern
  • Plasmapolymerisation
• Probengröße: ≤ 4" Wafer
• Gase: O₂, Ar
• Frequenz: 2,45 GHz
• Leistung: 0 - 300W
• Faradaykäfig zum Schutz elektrisch empfindlicher Proben
• Piranisensor zu Messung von Kammerdrücken unter 10 mbar
• Generator mit Leistungsanzeige
• Timer zum Programmieren der Prozesszeit (max. 999,9 min)

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

• Hersteller: XERION ADVANCED HEATING® Ofentechnik GmbH
• Probengröße: ≤ 4" Wafer
• Temperaturbereich: ≤ 800°C
• Druck: bis zu 4*10^-7 mbar
• Gas: N₂
• Heizen und Kühlen mit unterschiedlichen Ramp rates möglich

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• Hersteller: OLYMPUS GmbH
• Vergrößerungen: 5x, 10x, 20x, 50x, 100x, 250x
• Dunkelfeld- und Hellfeld-Modus
• Durchlicht- und Auflicht-Modus
• Kamera (Carl Zeiss Axio Cam MRc) zur Bildaufnahme

Kontakt: Dr. Y. Georgiev, Y.Georgiev@hzdr.de, 0351 / 260 - 2321

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  • ...
• Anwendungen: ...

Kontakt: ...

• Anwendungen:
  • Erzeugung von Metall- oder M_nS_m (M = Mo, W) Clustern
  • Mechanisch kontrollierte Bruchkontakte (MCBJ) dienen der elektrischen Characterisierung massenselektierter Cluster
  • Untersuchung der Elektronen-Transporteigenschaften von „magischen“ Clustern und Chevrelphasen der Wolfram-Schwefel Verbindungen (M_nS_m cluster)
• Insitu Erzeugung von Cluster mittels PACIS (pulsed arc cluster ion source)
• Massenseperation mittels Flugzeitmassensprektrometer mit Reflektron
• Insitu Einbringung in die Bruchkontakt durch soft landing Methoden
• Erzeugung von Metall-Clustern mittels Gaszufuhr und Annealing-Stufen
• Enddruck: ≥ 10^-7 mbar

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366

• Anwendungen
  • Optische Charakterisierung nanomechanischer Resonatoren

Kontakt: Dr. A. Erbe, a.erbe@hzdr.de, 0351 / 260 - 2366