Kontakt

Ulrich Kentsch

Lei­ter Implanter
u.kentschAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3345

40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: Danfysik A/S, Denmark, Model 1050
Ionenquelle: Chordis, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 100 eV - 40 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 1

Die Implantationskammer am 40 kV Ionenimplanter

Der 40 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 0.3 x 0.3 cm2 bis 6" Wafer
Implantationsfläche: max. 150 x 150 mm
Implantationswinkel: 0° und 7°, andere Winkel auf Anfrage
Substrattemperatur: Stickstoffkühlung für 2" Wafer,
bis 800 °C für 1x1 cm2 Proben
Fluenzbereich: 1012 bis 1017 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

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