Kontakt
Ulrich Kentsch
Leiter Implanter
u.kentsch
hzdr.de
Tel.: +49 351 260 3345
500 kV Ionenimplanter
| Hersteller: | High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385 | |
| Ionenquelle: | IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb | |
| Energiebereich: | 15 - 500 keV (für einfach geladene Ionen) | |
| Scanprinzip: | doppelt elektrostatisch | |
| Implantationskammern: | 2 |
Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter
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Kammer 1
| Substrate: | Wafer oder kleinere Proben | |
| Substratgröße: | 2" bis 8" Wafer oder kleinere Proben | |
| Implantationsfläche: | max. 125 x 125 mm2 | |
| Implantationswinkel: | 7° | |
| Substrattemperatur: | wassergekühlt, keine aktive Heizung | |
| Fluenzbereich: | 5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage) |
Kammer 2
| Substrate: | beliebig bis Ø 50 mm | |
| Substratgröße: | 2" Wafer oder kleinere Proben | |
| Implantationsfläche: | max. 50 x 50 mm2 | |
| Implantationswinkel: | 7° | |
| Substrattemperatur: | bis 900 °C für 2 x 2 cm2, bis 800 °C bis 3" Proben, LN2-Kühlung: -150 °C bis 3" Proben |
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| Fluenzbereich: | 5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage) |
