Kontakt

Ulrich Kentsch

Lei­ter Implanter
u.kentschAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3345

500 kV Ionenimplanter

Der 500 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
Ionenquelle: IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 15 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 2

Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter

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Kammer 1

Kammer 1 am 500 kV Implanter Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 2" bis 8" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 125 x 125 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: wassergekühlt, keine aktive Heizung
Fluenzbereich: 5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

Kammer 2

Kammer 2 am 500 kV Implanter Substrate: beliebig bis Ø 50 mm
Substratgröße: 2" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 50 x 50 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: bis 900 °C für 2 x 2 cm2,
bis 800 °C bis 3" Proben,
LN2-Kühlung: -150 °C bis 3" Proben
Fluenzbereich: 5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

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