500 kV Ionenimplanter

	Hersteller:	High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
	Ionenquelle:	IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
	Energiebereich:	10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
	Scanprinzip:	doppelt elektrostatisch
	Implantationskammern:	4

Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter

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Kammer 1

	Substrate:	Wafer oder kleinere Proben
	Substratgröße:	2" bis 6" Wafer oder kleinere Proben
	Implantationsfläche:	max. 125x125 mm2
	Implantationswinkel:	7°
	Substrattemperatur:	ungekühlt, keine aktive Heizung
	Fluenzbereich:	5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 2

	Substrate:	beliebig bis Ø 50 mm
	Substratgröße:	2" Wafer oder kleinere Proben
	Implantationsfläche:	max. 50x50 mm2
	Implantationswinkel:	7°
	Substrattemperatur:	bis 800 °C für 1x1 cm2, bis 600 °C bis 3" Proben, -80 °C bis 3" Proben
	Fluenzbereich:	5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 3 mit automatischem Waferhandling

	Substrate:	Wafer
	Substratgröße:	4" Wafer
	Implantationsfläche:	Ø 98 mm
	Implantationswinkel:	7°
	Substrattemperatur:	Raumtemperatur, wassergekühlt
	Fluenzbereich:	5e12 bis 5e15 cm-2

Kammer 4 - Doppelimplantationskammer (siehe auch 3 MV Beschleuniger)

	Substrate:	kleine Proben
	Substratgröße:	max. 20x20 mm2
	Implantationsfläche:	max. 14x14 mm2
	Implantationswinkel:	22.5°
	Substrattemperatur:	bis 500 °C
	Fluenzbereich:	5e10 bis 5e16 cm-2