Kontakt

Ulrich Kentsch

Lei­ter Implanter
u.kentschAthzdr.de
Tel.: +49 351 260 3345

500 kV Ionenimplanter

Der 500 kV Ionenimplanter im Ionenstrahlzentrum Hersteller: High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
Ionenquelle: IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
Energiebereich: 10 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
Scanprinzip: doppelt elektrostatisch
Implantationskammern: 4

Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter

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Kammer 1

Kammer 1 am 500 kV Implanter Substrate: Wafer oder kleinere Proben
Substratgröße: 2" bis 6" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 125x125 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: ungekühlt, keine aktive Heizung
Fluenzbereich: 5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 2

Kammer 2 am 500 kV Implanter Substrate: beliebig bis Ø 50 mm
Substratgröße: 2" Wafer oder kleinere Proben
Implantationsfläche: max. 50x50 mm2
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: bis 800 °C für 1x1 cm2,
bis 600 °C bis 3" Proben,
-80 °C bis 3" Proben
Fluenzbereich: 5e10 bis 5e16 cm-2

Kammer 3 mit automatischem Waferhandling

Kammer 3 am 500 kV Implanter Substrate: Wafer
Substratgröße: 4" Wafer
Implantationsfläche: Ø 98 mm
Implantationswinkel:
Substrattemperatur: Raumtemperatur, wassergekühlt
Fluenzbereich: 5e12 bis 5e15 cm-2

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