500 kV Ionenimplanter

	Hersteller:	High Voltage Engineering Europa B.V., Model B8385
	Ionenquelle:	IHC Bernas, Gas- und Feststoffbetrieb
	Energiebereich:	15 - 500 keV (für einfach geladene Ionen)
	Scanprinzip:	doppelt elektrostatisch
	Implantationskammern:	2

Die Implantationskammern am 500 kV Ionenimplanter

-

Kammer 1

	Substrate:	Wafer oder kleinere Proben
	Substratgröße:	2" bis 8" Wafer oder kleinere Proben
	Implantationsfläche:	max. 125 x 125 mm2
	Implantationswinkel:	7°
	Substrattemperatur:	wassergekühlt, keine aktive Heizung
	Fluenzbereich:	5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)

Kammer 2

	Substrate:	beliebig bis Ø 50 mm
	Substratgröße:	2" Wafer oder kleinere Proben
	Implantationsfläche:	max. 50 x 50 mm2
	Implantationswinkel:	7°
	Substrattemperatur:	bis 900 °C für 2 x 2 cm2, bis 800 °C bis 3" Proben, LN2-Kühlung: -150 °C bis 3" Proben
	Fluenzbereich:	5e10 bis 1e17 cm-2 (höhere Fluenzen auf Anfrage)