Ionentechnologie - Implantations- & -bestrahlungsbedingungen
Folgende Tabelle gibt einen schnellen Überblick über die Implantations-/Bestrahlungsparameter, die an unseren Anlagen realisierbar sind. Im Einzelfall kann es zu Einschränkungen bei der Kombination bestimmter Bestrahlungsparameter kommen. Bitte kontaktieren Sie uns; wir beraten Sie gern.
Ionenspezies |
H - Bi (Molekül- und Clusterionen & Isotopentrennung möglich) |
Ionenenergie |
30 eV - 55 MeV |
Interaktionstiefe |
wenige Ångström bis zu ~150 µm (in Si) |
Fluenzen |
107 - 1022 cm-2 |
Probengröße |
bis zu Ø 200 mm |
Einfallswinkel |
0° - 90° |
Ionenstrahlstrom |
pA - mA (abh. von Ion und Energie) |
Probenkühlung |
mittels flüssigem Stickstoff möglich |
Probenheizung |
bis 1100 °C |
Vakuum |
< 2.5 x10-6 mbar (typisch) |
Spezielle |
für kontinuierliche Probenrotation für hochgeladene Ionen |
Sonstige |
elektrische in-situ Messung von Proben, |
Luftreinheit |
bis Klasse 5 (DIN EN ISO 14644) |