Ansprechpartner

Prof. Dr. Jens Gutzmer
Direktor
Sekretariat: Vanessa Tschorn
Tel.: 0351 260 - 4404

PD Dr. Simone Raatz
Administrative Leiterin

Sekretariat: Louise Schulze
Tel.: 0351 260 - 4403

Anne-Kristin Jentzsch
Pressereferentin
Tel.: 0351 260 - 4429

Renate Seidel
Sekretariat
Tel.: 0351 260 - 4430

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Infrastruktur

Vom Labor- bis zum Pilotmaßstab

Ob Rohstofferkundung und -charakterisierung, Prozesstechnologien oder Systemanalyse. Der HIF-Campus bietet Forschenden und Partnern eine einzigartige Bandbreite an hochmoderner Ausrüstung sowie Laboren und Pilotanlagen, um gemeinsam innovative Rohstofftechnologien zu entwickeln. Wissenschaftliche Exzellenz sowie Transdiziplinarität, Nachhaltikeit und Offenheit spielen dabei nicht nur in der Forschung eine wesentlich Rolle, sondern auch bei der Weiterentwicklung unseres Campuses.


Foto: Analytiklabore ©Copyright: HZDR/ Frank Schinski

Analytische Labore

In unseren modernen Analytiklaboren bestimmen wir Mineralien und Metalle in Primär- und Sekundärrohstoffen. Aufgrund der komplexen Beschaffenheit der ­verschiedenen Rohstoffe entwickeln wir unsere Charakterisie­rungs­techniken kontinuierlich weiter.
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Foto: Mini Pilot Plant Froth Flotation ©Copyright: HIF

Infra­struk­tur für Aufberei­tung

Unser Institut ­verfügt über eine spezielle Upscaling-Infra­struk­tur, um die Lücke zwischen Labor­for­schung und industrieller Anwendung in der Mineralaufberei­tung und im Recycling zu schließen. Mit Pilotreaktoren, modularen Anlagen, modernen Steue­rungs­systemen und integrier­ter Analytik bewerten wir die Prozessleis­tung unter realitätsnahen Bedin­gungen.
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Foto: Metallurgie-Technikum am Helmholtz-Institut Freiberg für Ressourcentechnologie (HIF) ©Copyright: HZDR/Detlev Müller

Technikum für Prozessmetallurgie

Das Technikum für Metallurgie ist ein wichtiger Meilenstein in der Entwick­lung des HIF. Dadurch werden intensive Koopera­tionen auf dem Gebiet der metallurgischen Prozesstechnik mit kleinen und ­mittelständischen Unternehmen sowie der Industrie auf regionaler, nationaler und internationaler Ebene auf hohem wissen­schaftlichen und technischen Niveau möglich.
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